NG体育娱乐,ng体育平台

双极性晶体管

二极管

ESD保护、TVS、滤波和信号调节ESD保护

MOSFET

氮化镓场效应晶体管(GaN FET)

绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

模拟和逻辑IC

汽车应用认证产品(AEC-Q100/Q101)

无论是为下一代新能源电动车设计的电机驱动/控制器,还是为最新5G电信网络设计的电源,安世半导体的GaN FET将是您解决方案的关键。提供高功率性能和高频开关,我们常态关断的GaN FET产品的设计和结构,可确保您的设计应用低成本的标准栅极驱动器。

参数搜索

GaN FETs
数据加载中,请稍候...
参数搜索不可用。
版本 名称 描述 安装方法 表面贴装 引脚 间距(mm) 占位面积(mm²) PDF
Visit our documentation center for all documentation

Application note (6)

文件名称 标题 类型 日期
AN90041 Gate drive circuit design for Nexperia 650 V Enhancement mode (e-mode) GaN FETs Application note 2023-05-09
AN90030_translated ハーフブリッジ・トポロジーにおけるNexperia製GaN FETの並列 Application note 2023-04-03
AN90030 Paralleling of Nexperia cascode GaN FETs in half-bridge topology Application note 2023-03-22
AN90005 Understanding Power GaN FET data sheet parameters Application note 2020-06-08
AN90006 Circuit design and PCB layout recommendations for GaN FET half bridges Application note 2019-11-15
AN90004 Probing considerations for fast switching applications Application note 2019-11-15

Leaflet (4)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_document_leaflet_GaN_CCPAK_2023_CHN CCPAK GaN FETs Chinese Leaflet 2023-10-25
nexperia_document_leaflet_GaN_CCPAK_2023 CCPAK GaN FETs Leaflet 2023-10-25
nexperia_document_leaflet_GaNFETs_2023_CHN Power GaN FETs leaflet Leaflet 2023-10-25
nexperia_document_leaflet_GaNFETs_2023 Power GaN FETs leaflet Leaflet 2023-10-25

Marcom graphics (1)

文件名称 标题 类型 日期
TO-247_SOT429_mk plastic, single-ended through-hole package; 3 leads; 5.45 mm pitch; 20.45 mm x 15.6 mm x 4.95 mm body Marcom graphics 2019-02-19

Other type (1)

文件名称 标题 类型 日期
GaNFET_evalsuation_board_Terms_Of_Use GaN FET evalsUATION BOARD TERMS OF USE Other type 2023-10-10

Selection guide (1)

文件名称 标题 类型 日期
Nexperia_Selection_guide_2023 Nexperia Selection Guide 2023 Selection guide 2023-05-10

Technical note (1)

文件名称 标题 类型 日期
TN90004 An insight into Nexperia Power GaN technology – Applications, quality, reliability and scalability Technical note 2020-07-21

User manual (4)

文件名称 标题 类型 日期
UM90028 NX-DP-GAN039-TSC double pulse evalsuation board with top-side cooled CCPAK GaN FETs User manual 2024-01-09
UM90007 NX-HB-GAN039-BSCUL 3.5 kW half-bridge evalsuation board with bottom-side cooled GaN FETs User manual 2023-12-04
UM90024 4 kW analogue bridgeless totem-pole PFC evalsuation board User manual 2023-11-21
Nexperia_document_book_MOSFETGaNFETApplicationHandbook_2020 MOSFET & GaN FET Application Handbook User manual 2020-11-05

White paper (5)

文件名称 标题 类型 日期
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_Japanese Whitepaper: GaN need for efficient conversion (Japanese) White paper 2021-05-20
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion_CHN 白皮书: 功率GaN技术: 高效功率转换的需求 White paper 2020-08-17
nexperia_whitepaper_gan_need_for_efficient_conversion White paper: Power GaN technology: the need for efficient power conversion White paper 2020-07-23
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101_CN Whitepaper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification – Chinese (650 V GaN FET技术可提供 出色效率,以及AEC-Q101 认证所需的耐用性) White paper 2020-07-15
nexperia_whitepaper_gan_robustness_aecq101 White paper: GaN FET technology and the robustness needed for AEC-Q101 qualification White paper 2020-06-08

快速学习

Nexperia 级联氮化镓 GaN FET 如何简化设计 – 快速学习

快速学习——功率GaN FET在太阳能逆变器中的益处

快速学习

快速学习:在AC/DC转换器中使用高功率氮化镓场效应晶体管

快速学习

快速学习:从硅迈向GaN:设计考虑因素

快速学习

快速学习:如何阅读GaN FET数据手册

产品和技术演示

半桥评估板中的 Nexperia 铜夹片 SMD CCPAK 封装的GaN FET

产品和技术演示

用于双脉冲分析的650V GaN CCPAK评估板

宣传片

安世半导体GaN FET

技术和设计见解

GaN FET 的常见应用问题

技术和设计见解

如果您有支持方面的疑问,请告知我们。如需获得设计支持,请告知我们并填写应答表,我们会尽快回复您。

NG体育娱乐,ng体育平台获得进一步支持。


交叉参考

NG体育娱乐,ng体育平台